高盛专家解读内存多空博弈：涨价延续至2027年年中 但涨势逐步放缓

8月11日消息，据媒体报道，高盛分析师Sean Johnstone在一份报告中表示，市场对内存价格后续走势存在显著分歧，多空双方论据各有支撑。

乐观方认为，HBM和DRAM的订单能见度已延伸至2027年，长协价格锁定底部利润，内存仍有70%–80%的上涨空间；悲观方则指出，价格二阶导已转负，涨价速度在放缓，预计明年Q2或Q3见顶，随后小幅回落。

空头观点还得到行业动向的佐证——内存当前高达80%的利润率正推动客户重新设计芯片以降低内存依赖。

此前有消息称，英伟达正考虑削减Rubin Ultra的HBM堆叠规格，SemiAnalysis估算此举可将单机架HBM成本占比从接近40%降至28%。

高盛在报告中给出的核心判断是：内存上涨趋势将至少维持至2027年中，但“稀缺”带来的超额阶段已结束。

保守投资者已将板块市盈率预期从5倍压缩至2–3倍。后续空间取决于长协是否催生新增产能，以及HBM放量是否会挤压传统DRAM/NAND的供给。

此外，马斯克近日指出内存需求激增200%、供给仅增20%的失衡格局，且产能集中在HBM。