三星高管密会黄仁勋！抢下NVIDIA三块大单：HBM内存+自动驾驶+Groq芯片

6月9日消息，三星电子副会长兼设备解决方案（DS）事业部负责人全永铉在首尔新罗酒店与黄仁勋举行闭门商务会议，会后三星宣布，双方的合作已远远超越HBM存储器领域，全面扩展至晶圆代工业务。

全永铉透露，三星正在利用4纳米和8纳米工艺节点，为英伟达生产自动驾驶芯片及加速器芯片。三星通过4nm满足高阶自动驾驶的高算力需求，借助8nm成熟工艺平衡性能与成本。

在AI推理芯片代工领域，三星晶圆代工目前已是英伟达4nm工艺Groq 3 (LP30) LPU芯片的合同制造合作伙伴。

针对英伟达未来规划的Rubin世代LP35 LPU和Feynman世代LP40 LPU芯片，双方正在积极探讨后续生产合作事宜。

全永铉表示，双方不仅就短期的HBM4供应进行了深入对话，还广泛讨论了涵盖HBM4E、HBM5以及下一代芯片代工的长期联合发展计划。三星今年将全力保障HBM4及低功耗内存模组SOCAMM的充足供应。

2026年第三季度英伟达Vera Rubin将全面交付，三星HBM4良率与产能成其突围关键。

全永铉拒绝透露是否签署长期供货协议，强调以HBM和代工业务成果证明竞争力，双方合作将持续深化。